等离子化学气相沉积英文解释翻译、等离子化学气相沉积的近义词、反义词、例句
英语翻译：
【化】 PCVD; plasma chemical vapor deposition
分词翻译：
等离子的英语翻译：
【电】 plasmon化学气相沉积的英语翻译：
【化】 chemical vapor deposition(CVD); CVD网络扩展解释
等离子化学气相沉积
等离子化学气相沉积的中文拼音为“děng lí zǐ huà xué qì xiāng chén shè”，英文解释为“Plasma-enhanced chemical vapor deposition”，读音为“plaz-muh in-hanst kem-i-kuhl vey-per di-po-zish-uhn”。该技术常用于制造半导体器件、薄膜涂层和纳米粒子等。
英文用法
Plasma-enhanced chemical vapor deposition是一种化学气相沉积技术，利用高能等离子体改善反应均匀性、降低反应温度、提高材料纯度。它是一种高效、低成本的制备方法，适用于有机和无机材料的制备。
英文例句
Plasma-enhanced chemical vapor deposition has been used to produce high-quality graphene films with excellent uniformity and electronic properties.
等离子化学气相沉积被用于制备高质量、均匀性好、电学性能优异的石墨烯薄膜。
英文近义词
Plasma-enhanced chemical vapor deposition的近义词为PECVD，即等离子体增强化学气相沉积。
PECVD利用等离子体增强反应，可制备高纯度、高强度和高光反射性的涂层。
英文反义词
Plasma-enhanced chemical vapor deposition没有直接的反义词，但可与传统的化学气相沉积技术CVD作对比。
CVD技术需要高温和高压，难以制备高纯度和均匀性的材料，而PECVD技术则能在低温和低压下制备高质量、均匀性好的材料。
英文单词常用度
Plasma-enhanced chemical vapor deposition在科研和工业应用中都较为普遍，是半导体和材料领域研究的重要技术之一。在学术论文和专利申请中都能够频繁地见到。