半导体表面上的复合速度英文解释翻译、半导体表面上的复合速度的近义词、反义词、例句
英语翻译：
【电】 recombination velocity
分词翻译：
半导体的英语翻译：
semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor
表面上的英语翻译：
apparently; on the surface; professedly
复合速度的英语翻译：
【电】 recombination velocity
网络扩展解释
半导体表面上的复合速度
在半导体物理学中，复合速度指的是电子和空穴在半导体表面相遇并结合形成复合体的速度。
英文解释：In semiconductor physics, recombination velocity refers to the velocity at which electrons and holes meet and combine to form a recombined particle on the surface of a semiconductor.
英文读音：rɪˌkɒmbɪˈneɪʃən vəˈlɒsəti
英文用法：复合速度是衡量半导体电子和空穴结合强度的一个重要参数，它可以用来衡量半导体表面质量或接触处的电学特性。
英文例句：The recombination velocity at the surface of a semiconductor can be affected by surface defects.（半导体表面的复合速度可能会受到表面缺陷的影响。）
英文近义词：Surface recombination velocity（表面复合速度）
英文反义词：Generation velocity（产生速度）
英文单词常用度：在半导体物理学领域常用，普通用法较少。