衬底栅英文解释翻译、衬底栅的近义词、反义词、例句
英语翻译：
【计】 substrage gate
分词翻译：
衬底的英语翻译：
underlay
【计】 MOS substrate; substrate
栅的英语翻译：
bar
网络扩展解释
衬底栅
衬底栅的中文拼音是chèn tí shān，英语解释翻译为“substrate bias”，英文读音为/səbˈstreɪt ˈbaɪəs/。衬底栅在半导体器件的制造中扮演着十分重要的角色，它能够调整半导体表面的能带结构，从而影响器件的电学性能。
用法
在半导体器件的制造中，衬底栅可以用于控制沟道电压和电流，减少极化效应，避免热击穿和过度注入等问题，从而提升器件性能和稳定性。
例句
例句1：The substrate bias voltage is applied to ensure the uniform growth of the epitaxial layer.
中文解释：应用衬底栅电压以确保外延层的均匀生长。
例句2：The substrate bias effect on device characteristics is investigated.
中文解释：探究衬底栅对器件性能的影响。
近义词
衬底栅的近义词包括 substrate voltage、back-gate voltage、back-bias voltage等。
反义词
衬底栅的反义词为grounded substrate（接地衬底）。
单词常用度
作为半导体制造领域的专业术语，衬底栅在工程、材料、物理等领域经常被使用。