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【计】 punch through
【计】 punch through
【医】 canalization; fenestration
phenomenon; appearance
【化】 phenomenon
【医】 phenomenon
【经】 phenomenon
"穿通现象"在汉英词典中对应"penetration phenomenon"或"punch-through phenomenon",指物质或能量突破原有边界层的特殊传导机制。该术语在工程学与物理学领域具有双重内涵:
基础定义
根据《新时代汉英科技大词典》(第二版),穿通现象描述电流突破半导体PN结势垒形成非平衡载流子注入的过程。在电力电子器件中特指绝缘层失效导致的异常导通状态。
工程学应用
《英汉电子工程术语手册》指出,该现象在功率MOSFET器件中表现为源漏极间形成寄生双极晶体管效应,可能引发热失控。国际电气与电子工程师协会(IEEE)标准中将其列为功率器件可靠性评估指标。
物理机制
量子力学视角下,该现象与势垒穿透效应存在关联。根据Springer出版的《半导体器件物理》,穿通电压可通过以下公式计算:
$$
V_{pt} = frac{qN_D W}{2epsilon_s}
$$
其中N_D为掺杂浓度,W为耗尽层宽度,ε_s为介电常数。
“穿通现象”在不同领域有特定含义,以下是综合解释:
在电工或换流技术中,穿通现象指阀或换流臂暂时失去正向阻断能力,导致电流在非导通状态下异常流过。例如,在可控硅等器件中,可能因电压过高或设计缺陷引发此现象,影响设备稳定性。
晶体管中的穿通现象(Punchthrough)指电场强度过高导致耗尽区贯穿基区,使集电极与发射极直接导通。这种现象常见于沟道长度缩短、结深变浅的器件,可能引发漏电流增加或器件失效。
广义上,“穿通”可表示贯通或疏通,如《淮南子》中“穿通窘滞”指消除阻塞。但在技术语境中多特指上述专业场景。
如需更深入的技术细节,可参考电力电子或半导体物理相关文献。
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