间接能隙半导体英文解释翻译、间接能隙半导体的近义词、反义词、例句
英语翻译：
【电】 indirect gap semiconductor
分词翻译：
间接的英语翻译：
【法】 remoteness
能隙的英语翻译：
【化】 energy gap
半导体的英语翻译：
semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor
网络扩展解释
间接能隙半导体
间接能隙半导体的中文拼音为jiàn jiē néng xì bàn dǎo tǐ。其英语解释为indirect bandgap semiconductor。
该单词的读音为 /ˌɪndəˈrɛkt ˈbændˌɡæp ˌsɛmɪkənˈdʌktər/。
在英文中，间接能隙半导体用于描述一种材料，其电子的能量处于导带与价带之间的能量范围，也称为带隙范围。该材料需要借助外部电子或光子来激发，以扩大带隙范围，让电子从价带跃迁到导带中。
例如，硅和锗都是间接能隙半导体的典型代表。它们主要用于电子学领域，例如构建晶体管、光电子器件等。
以下是该词的英文例句：
Silicon, germanium, and gallium arsenide are some commonly used indirect bandgap semiconductors.
(硅、锗和砷化镓是常用的间接能隙半导体。)
该单词的近义词包括：indirect semiconductor、insulator、semiconductor、bandgap engineering等。他们都用于描述一些电子能带与带隙范围。
该单词的反义词包括：direct bandgap semiconductor。直接能隙半导体指的是电子的能量处于价带下方而导带上方的能带材料。它不需要大量的输运或光激发，而是能够直接从价带跃迁至导带。
最后，该单词在英文中的常用度属于中等水平，常出现在学术、科技、电子工程等领域的文章中。