互补金属氧化物半导体存储器英文解释翻译、互补金属氧化物半导体存储器的近义词、反义词、例句
英语翻译：
【计】 CMOS memory
分词翻译：
互补的英语翻译：
【电】 complement; complementary
金属氧化物半导体存储器的英语翻译：
【计】 metal oxide semiconductor memory; metal-oxide-semiconductor memory
MOS memory
网络扩展解释
互补金属氧化物半导体存储器
互补金属氧化物半导体存储器的中文拼音是“hù bǔ jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ cún chǔ qì”。
英文解释翻译为Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) Memory。
英文读音为[kɑːmpləməntəri ˈmɛtl ˈɑːksaɪd ˈsɛmikənˌdʌktə(r) ˈmɛməri]。
英文的用法是指一种集成电路的存储器。互补金属氧化物半导体存储器通常被用于数字电子学领域，例如在计算机内存中。
英文例句：
Complementary metal-oxide-semiconductor memory (CMOS) is a widely used type of semiconductor memory which uses the technology of complementary MOSFETs.
英文近义词：
- Static random-access memory (SRAM)，静态随机存储器。
- Dynamic random-access memory (DRAM)，动态随机存储器。
英文反义词：
- Read-only memory (ROM)，只读存储器。
英文单词常用度：
根据Google Ngram Viewer的数据，Complementary Metal Oxide Semiconductor Memory在20世纪80年代中期开始出现并逐渐流行至今。