栅漏电阻英文解释翻译、栅漏电阻的近义词、反义词、例句
英语翻译：
【电】 grid-leak resistance
分词翻译：
栅的英语翻译：
bar
漏电阻的英语翻译：
【计】 ohmic leakage
网络扩展解释
栅漏电阻
栅漏电阻（zhà lòu diàn rǔ）是指在半导体器件中，栅极到漏极之间的电阻。它也可以表示为Rds，是栅漏电阻的缩写。
英语解释翻译
栅漏电阻的英语解释为 "gate-to-drain resistance"。
英文读音
gate-to-drain resistance的英文读音为 [geɪt tuː dreɪn rᵻˈzɪstəns]。
英文的用法
在半导体领域，gate-to-drain resistance常用于描述场效应管等器件中，栅极到漏极之间的电阻。
英文例句
Example sentence: The gate-to-drain resistance affects the overall performance of the MOSFET. (栅漏电阻会影响MOSFET的整体性能。)
英文近义词
Synonyms: drain-to-source resistance, channel resistance (漏源电阻，通道电阻)
英文反义词
Antonyms: gate-to-source resistance, gate resistance (栅源电阻，栅电阻)
英文单词常用度
gate-to-drain resistance作为一个专业术语，在半导体领域中常见使用。