磁致伸缩存储器英文解释翻译、磁致伸缩存储器的近义词、反义词、例句
英语翻译：
【计】 magnetostrictive storage
分词翻译：
磁致伸缩的英语翻译：
【计】 magnetostriction; magnetostrictive
【化】 magnetostriction
存储器的英语翻译：
storage; store
【计】 M; memorizer; S
网络扩展解释
磁致伸缩存储器：
磁致伸缩存储器的中文拼音为“cí zhì shēn suō cún chǔ qì”。这是一种新型的非挥发性存储器，它具有高密度、低功耗、高读写速度等优点。下面是该词的英语解释和读音：
英文解释：
Magnetoresistive random-access memory (MRAM) is a type of non-volatile RAM (NVRAM) that uses magnetic states to store information instead of the electrical charge used by dynamic random-access memory (DRAM).
英文读音：
/mæɡˌniːtoʊrɪˈzɪstɪv rændəm æksɛs ˈmɛməri/
磁致伸缩存储器的英文用法和例句如下：
英文用法（中文解释）：
Magnetoresistive random-access memory (MRAM) is increasingly being used in electronic devices, particularly in smartphones and digital cameras, due to its high speed and low power consumption.
英文例句（包含中文解释）：
1. MRAM technology is expected to revolutionize the industry with its high-speed processing and low-power consumption. (MRAM技术预计凭借其高速处理和低功耗将革新产业。)
2. Unlike traditional DRAM, MRAM can store data even when power is switched off. (与传统的DRAM不同，即使断电，MRAM也可以存储数据。)
磁致伸缩存储器的近义词和反义词如下：
英文近义词（包含中文解释）：
1. Ferroelectric RAM (FRAM) - A type of non-volatile RAM that uses a ferroelectric material to store data. (铁电存储器（FRAM）-一种使用铁电材料存储数据的非挥发性存储器。)
2. Phase-change memory (PCM) - A type of non-volatile RAM that uses a material that can be switched between amorphous and crystalline states to store data. (相变存储器（PCM）-一种使用可以在非晶态和晶态之间切换的材料存储数据的非挥发性存储器。)
英文反义词（包含中文解释）：
1. Dynamic random-access memory (DRAM) - A type of volatile RAM that uses electrical charge to store data. (动态随机存取存储器（DRAM）-一种使用电荷存储数据的易失性随机存取存储器。)
2. Static random-access memory (SRAM) - A type of volatile RAM that uses flip-flop circuits to store data. (静态随机存取存储器（SRAM）-一种使用触发器电路存储数据的易失性随机存取存储器。)
磁致伸缩存储器作为一种新型的存储器，具有广泛的应用前景和发展空间。在未来的科技领域中，它将发挥更为广泛的作用。