耗尽型场效应晶体管英文解释翻译、耗尽型场效应晶体管的近义词、反义词、例句
英语翻译：
【计】 dependent mode field effect transistor
分词翻译：
耗尽的英语翻译：
out of store; use up; deplete; drain; exhaust; swallow
【计】 exhausting
【经】 exhaust; exhaustion
型的英语翻译：
model; mould; type
【医】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【经】 type
场效应晶体管的英语翻译：
【计】 FET; field effect transistor
网络扩展解释
耗尽型场效应晶体管
耗尽型场效应晶体管（HAFT）的中文拼音是“hào jìn xíng chǎng xiào jīng tǐ guǎn”，是一种半导体器件，可用作放大器、开关和其他电路。
该名称的英语解释为“Depletion-mode Field-effect Transistor”，也可缩写为DMFET。这是一种场效应晶体管（FET），其导电性取决于通道中的载流子密度。
在英语口语中，耗尽型场效应晶体管的读音为 [dɪˈpliːʃən moʊd fiːld ˈɛfɛkt trænˈzɪstər]。
耗尽型场效应晶体管的用法与其他FET器件类似，通常用作低噪声放大器、RF开关和功率放大器等高频应用。此外，由于HAFT具有低场效应漏电流、高输入阻抗和低噪音等优点，因此也可用于生物医疗、气体传感等应用领域。
以下是一些例句：
- HAFT非常适合于低噪声放大器应用。
- 这个电路需要一个特定类型的HAFT，才能实现最佳性能。
一些常见的英文近义词包括：FET、MOSFET、JFET等。与HAFT相对的是增强型场效应晶体管（E-MOSFET），其载流子密度取决于进一步施加的控制电压。
一些常见的英文反义词包括：增强型场效应晶体管、双极晶体管等。
HAFT在电子行业中非常常用，常见程度为5/10。